文献

J-GLOBAL ID：201102291255556937   整理番号：11A1441762

単一正孔計数に基づくSOI MOSFET光子検出器

SOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistor photon detector based on single-hole counting

著者 (4件)： DU Wei ,  INOKAWA Hiroshi ,  SATOH Hiroaki ,  ONO Atsushi
資料名： Optics Letters  (Optics Letters)
巻： 36  号： 15  ページ： 2800  発行年： 2011年08月01日 
JST資料番号： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小型化シリコンオンインシュレータ(SOI)金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ(MOSFET)が光子検出器として特徴付けられる。光生成個別正孔が逆バイアスゲートの下で捕捉され,正の基板バイアスで誘導される低層チャネルに於ける電子電流を段階的に変調する。出力波形は色々な捕捉正孔数に対応する電流レベルの明確な分離を示す。単一正孔計数能力,0.02s^-1以下の室温小暗計数,1Vの低操作電圧を考慮すると,SOI MOSFETは小さい量子効率が改良されるならユニークな光子数分析検出器に成り得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *MOSFET ,  *光検出器 ,  正孔 ,  キャリア捕獲 ,  *計数器 ,  光子検出器

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 正孔 ,  計数 ,  SOI ,  MOSFET ,  光子検出器