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J-GLOBAL ID：201102291600708150   整理番号：11A0101015

基本スイッチングセルを用いたパワーエレクトロニクスモジュールの漂遊インダクタンスの低減

Reduction of Stray Inductance in Power Electronic Modules Using Basic Switching Cells

著者 (4件)： LI Shengnan (Univ. Tennessee, TN, USA) ,  TOLBERT Leon M. (Univ. Tennessee, TN, USA) ,  WANG Fred (Univ. Tennessee, TN, USA) ,  PENG Fang Zheng (Michigan State Univ., East Lansing, USA)
資料名： IEEE Energy Conversion Congress and Exposition  (IEEE Energy Conversion Congress and Exposition)
巻： 2010 Vol.3  ページ： 2686-2691  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0800A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジー的特性や基本ビルディングブロックを用いてパワーエレクトロニクス変換器を調べる際に使用するPセルおよびNセルに基づく新しいパッケージング法を提案した。本提案のパッケージング法はモジュール内ユニットとして基本スイッチングセルを用いる。この配置によって,転流過程の漂遊インダクタンスを低減することができ,パワーデバイスモジュールやパワーエレクトロニクスシステムの性能と信頼性を改善することができる。従来の位相レグモジュールおよび本モジュールのモデル化を行った。また,電磁シミュレーションを行って,両モジュールから漂遊インダクタンスの抽出を試みた。さらに,Saberシミュレーションに基づき,スイッチング挙動を調べた。

シソーラス用語： *スイッチング素子 ,  *パワーエレクトロニクス ,  *回路モジュール ,  インダクタンス ,  転流【生体】 ,  解析モデル ,  シミュレーション ,  スイッチング ,  IGBT
準シソーラス用語： パッケージング

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： スイッチング ,  セル ,  インダクタンス