文献

J-GLOBAL ID：201102292942612665   整理番号：11A1029005

半導体極性板での束縛磁気ポーラロンの自己トラッピングエネルギー

Self-trapping energy of bound magnetopolaron in a polar slab of semiconductor

著者 (1件)： WANG Xiu-qing (Coll. of Physics and Electronic Information, Inner Mongolia Univ. for the Nationalities, Inner Mongolia, Tongliao)
資料名： Liangzi Dianzi Xuebao  (Liangzi Dianzi Xuebao)
巻： 27  号： 2  ページ： 242-246  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2419A  ISSN： 1007-5461  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Huybrechtの線形組合せ演算子とユニタリー変換法を用いて,極性板の膜厚と束縛磁気ポーラロンの基底状態エネルギーや自己トラッピングエネルギー(E_e(tr)-ph)の関係を調べた。E_e(tr)-phは二成分から成り,一つはE_e(tr)-LOであり,もう一つはE_e(tr)-SOであるが,E_e(tr)-SOも二成分から成り,一つはE_e(tr)-SO(+)であり,もう一つはE_e(tr)-SO(-)であった。一例として,KClを採用して,E_e(tr)-phとAがスラブ膜厚の増加で低減するが,スラブ膜厚が5nmを超える場合,自己トラッピングエネルギーは低レベルに安定化された。一方,安定した磁気場が存在する場合,それは増加した。この理由は,安定磁場の存在での電子-フォノン相互作用の変化するためである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *電子-フォノン相互作用 ,  *磁気ポーラロン ,  ユニタリー変換 ,  相互作用 ,  基底状態 ,  極性 ,  半導体 ,  束縛状態 ,  膜厚
準シソーラス用語： トラッピング

分類 (1件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極性 ,  束縛 ,  磁気ポーラロン ,  自己 ,  トラッピング ,  エネルギー