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J-GLOBAL ID：201102293030435688   整理番号：11A1905955

多面体トポロジー結晶

Polyhedral Topological Crystals

著者 (4件)： TSUBOTA Masakatsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  INAGAKI Katsuhiko (Asahikawa Medical Univ., Asahikawa, JPN) ,  MATSUURA Toru (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TANDA Satoshi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 11  号： 11  ページ： 4789-4793  発行年： 2011年11月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三硫化タンタル(TaS₃)系中に数個の空孔をもつ新しい型のトポロジー結晶を研究した。電子後方散乱回折によって,TaS₃の環状および多面体結晶の結晶化度と結晶面の平面度を調べた。その結果,結晶のエッジ間の距離に依存する相互作用によって,垂直に配列したエッジの転位に関連した多面体結晶が生成されることがわかった。さらに,環状結晶の幅対半径に関する状態図も示すことができた。

シソーラス用語： *タンタル化合物 ,  *硫化物 ,  多面体 ,  *環状構造 ,  *気相成長 ,  化学輸送 ,  *空孔欠陥 ,  結晶度 ,  ファセット ,  平坦性 ,  *電子回折 ,  結晶方位 ,  結晶粒度 ,  位相幾何学 ,  刃状転位
準シソーラス用語： *硫化タンタル ,  *後方散乱電子回折

分類 (3件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多面体 ,  トポロジー ,  結晶