文献

J-GLOBAL ID：201102293582640820   整理番号：11A1069147

CMOSイメージセンサにおけるランダム電信信号の新発生源の証拠

Evidence of a Novel Source of Random Telegraph Signal in CMOS Image Sensors

著者 (5件)： GOIFFON V. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  MAGNAN P. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  MARTIN-GONTHIER P. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  VIRMONTOIS C. (Univ. Toulouse, Toulouse, FRA) ,  GAILLARDIN M. (CEA, Arpajon, FRA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 6  ページ： 773-775  発行年： 2011年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSイメージセンサ(CIS)のフォトダイオード暗電流ランダム電信信号(RTS)について,既知の2タイプとは異なる新たな発生源を報告した。この暗電流ゆらぎは,空乏酸化物界面におけるメタ安定Schockley-Read-Hall発生機構に起因する。2種類のイオン化放射線源を用いて酸化物欠陥の役割を識別した。専用RTS検出法と放射線量や積分時間などいくつかの条件のもとで実施した試験によれば,この新RTS発生源はイオン化環境におけるCISの性能に強い影響をおよぼす。

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  ランダム信号 ,  *暗電流 ,  雑音発生 ,  電流変動 ,  アイソレーション【IC】 ,  照射線量 ,  表面準位 ,  画素 ,  低周波雑音
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  STI【アイソレーション】

分類 (1件)： 撮像・録画装置  (ND12032E)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOSイメージセンサ ,  電信 ,  発生源 ,  証拠