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J-GLOBAL ID：201102294433018986   整理番号：11A1134355

非晶質酸化インジウムガリウム亜鉛薄膜トランジスタに基づいた室温動作高感度ハイブリッドガスセンサ

Room-temperature-operated sensitive hybrid gas sensor based on amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors

著者 (6件)： ZAN Hsiao-wen (Dep. of Photonic, Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LI Chang-hung (Dep. of Photonic, Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  YEH Chun-cheng (Dep. of Photonic, Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  DAI Ming-zhi (Inst. of Physics, National Chiao Tung Univ., 1001, Ta Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  MENG Hsin-fei (Inst. of Physics, National Chiao Tung Univ., 1001, Ta Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan) ,  TSAI Chuang-chuang (Dep. of Photonic, Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 25  ページ： 253503  発行年： 2011年06月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機センシング層を,非晶質酸化インジウムガリウム亜鉛(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)上にキャップし,ハイブリッドセンサを形成した。第二のゲートとして働く有機層は,a-IGZO膜とp-n接合を形成した。酸化あるいは還元蒸気分子は,電子アクセプタあるいは電子ドナーのように作用して,有機層の電位及びa-IGZO TFTの電流を変えた。100ppbアンモニア及び100ppbアセトンへの高感度で可逆性の応答を,室温において得た。本レターは,新興のa-IGZO TFT技術に基づいた低コスト大面積バイオ/化学センサアレイを開発するルートを開いた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガスセンサ ,  *薄膜トランジスタ ,  化合物半導体 ,  非晶質 ,  *高分子薄膜 ,  PN接合 ,  アンモニア ,  応答 ,  センサアレイ ,  脂肪族ケトン
準シソーラス用語： *ハイブリッドガスセンサ ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *キャップ層 ,  気体分子

分類 (3件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： アセトン

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  酸化インジウムガリウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  室温 ,  高感度 ,  ガスセンサ