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J-GLOBAL ID：201102294709208008   整理番号：10A1389367

γ線検出器としての4H-SiCショットキーダイオードのモデルと解析

Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector

著者 (6件)： ZHANG Lin (Microelectronics Institute;Key Lab. of Ministry Education of Wide Band Gap Semiconductor Materials;Xidian Univ., Xi’an) ,  ZHANG Yimen (Microelectronics Institute;Key Lab. of Ministry Education of Wide Band Gap Semiconductor Materials;Xidian Univ., Xi’an) ,  ZHANG Yuming (Microelectronics Institute;Key Lab. of Ministry Education of Wide Band Gap Semiconductor Materials;Xidian Univ., Xi’an) ,  ZHANG Shuxia (Communication Engineering Department;Engineering Coll. of Chinese People’s Armed Police Force, Xi’an) ,  TANG Xiaoyan (Microelectronics Institute;Key Lab. of Ministry Education of Wide Band Gap Semiconductor Materials;Xidian Univ., Xi’an) ,  WANG Yuehu (Microelectronics Institute;Key Lab. of Ministry Education of Wide Band Gap Semiconductor Materials;Xidian Univ., Xi’an)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 20  号： 5  ページ： 854-858  発行年： 2008年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文は,γ線検出器としての逆バイアス4H-SiCショットキーダイオードの動作機構の調査に基づいた数値モデルを提案したものである。さまざまなバイアス電圧と照射線量における暗電流,電流応答および,電流感度の検出特性をシミュレーションした。電流感度は,ショットキーダイオードに印加した全電圧の平方根の増加に伴って直線的に増加した。エピタキシャル層のドーピング濃度は2.2×10(15)cm(-3),電流感度はゼロバイアスで13.9×10(-9)C/Gy,100Vのバイアスで24.5×10(-9)C/Gyであった。シミュレーションからの結果は,実験データとよく一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *放射線検出器 ,  γ線検出 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  炭化ケイ素 ,  数学モデル ,  数値計算 ,  数値解析 ,  解析モデル ,  シミュレーション ,  電圧 ,  感度 ,  能力 ,  暗電流 ,  応答 ,  γ線検出器 ,  数値シミュレーション ,  検出能
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  バイアス電圧 ,  検出感度 ,  電流応答

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (4件)： γ線検出器 ,  ショットキーダイオード ,  モデル ,  解析