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J-GLOBAL ID：201102295272073562   整理番号：11A1851368

SiC系MOSFETのチャンネル移動度と界面準位密度間のスケーリング

Scaling Between Channel Mobility and Interface State Density in SiC MOSFETs

著者 (6件)： ROZEN John (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  AHYI Ayayi C. (Auburn Univ., AL, USA) ,  ZHU Xingguang (Auburn Univ., AL, USA) ,  WILLIAMS John R. (Auburn Univ., AL, USA) ,  FELDMAN Leonard C. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  FELDMAN Leonard C. (Rutgers Univ., NJ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 11  ページ： 3808-3811  発行年： 2011年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱ゲート酸化膜の窒化によりトラップ分布を調整することにより,SiC系横形MOSFETのチャンネル移動度へのSiO₂/4H-SiC界面準位密度(D_it)の直接の影響について調べた。窒化プロセスにより調整した界面欠陥密度によるSiC系MOSFETの特性の展開を追跡した。D_itによる移動度のスケーリングと個別のドレイン電流(I_d)-ゲート電圧(V_g)曲線の形状は,クーロン散乱により制限された反転輸送と一致した。さらに,大準位密度が,サブしきい値振幅を低減し,遅いターンオフ挙動を生じることを示した。最長のNOアニール処理時間と最低D_itを用いた素子は,界面品質を大幅に改善することを確立した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *六方晶系 ,  *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  *表面準位 ,  状態密度 ,  *スケーリング【計数】 ,  キャリア捕獲 ,  薄膜コンデンサ ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  MOSキャパシタ ,  チャネル移動度 ,  捕獲密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  チャンネル ,  移動度 ,  界面準位密度 ,  スケーリング