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J-GLOBAL ID：201102295782811525   整理番号：11A0628236

半導体ナノ構造の作製と評価

Growth and Characterization of Semiconductor Nano Structures

著者 (1件)： 飯塚完司 (日本工大)
資料名： 日本工業大学研究報告  (Report of Researches. Nippon Institute of Technology)
巻： 40  号： 4  ページ： 772-775  発行年： 2011年02月28日 
JST資料番号： S0702A  ISSN： 0389-2514  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 集積回路の更なる高密度化に向けて,量子ドット(QD)を利用した新しいデバイスの量子セルオートマトン(QCA)や単一電子トランジスタ(SET)が注目されている。これらを実現する上での課題は,QDを如何にして必要な位置に作製するかである。もう一つの技術として,同一サファイア基板上にGaN系半導体とGaAs系半導体を成長させることが期待されている。実現すれば,単一の基板でRGBのフルカラー発光が実現できるだけでなく,GaN系半導体による青色光デバイスと,GaAs系半導体による超高速電子デバイスの両者をモノリシックに配置した光電子集積回路の作製も可能となる。本稿では,QD位置制御に関する検討結果とサファイア基板上に良質なGaAs単結晶薄膜を成長させる試みについて紹介する。QD位置制御は,通常の表面観察用走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた電子線誘起蒸着(EBID)法により,マスクとなるカーボンパターンを形成するものである。後者は,分子線エピタキシー(MBE)法を使用するものであるが,ミスフィット転位などの欠陥の発生を避けるために,低温GaAs上に高温GaAsを成長させる2段階成長法を採用したものである。提案する方法によって,初期の目的を達成することができた。これらの結果は,次世代の高性能半導体デバイスを実現するために必要なノウハウであり,両テーマの更なる進展が望まれる。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  緻密化 ,  *量子ドット ,  単一電子トランジスタ ,  *位置制御 ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  一体構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  *MBE成長 ,  化学蒸着 ,  *サファイア基板 ,  高密度化
準シソーラス用語： *電子線誘起堆積法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体ナノ構造 ,  作製 ,  評価