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J-GLOBAL ID：201102295822544819   整理番号：11A1179536

後処理プロセスによる可撓性a-Si:H薄膜トランジスタの特性改善

Characteristics imrovement for flexible a-Si:H Thin Film Transistor with post treatment processes

著者 (4件)： TENG Li-feng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU Po-Tsun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHOU Yi-Teh (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  FAN Yang-Shun (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops  (Proceedings of the International Display Workshops)
巻： 17th  号： Vol.3  ページ： 2207-2209  発行年： 2010年 
JST資料番号： L4269A  ISSN： 1883-2490  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *後処理 ,  柔軟性 ,  *薄膜トランジスタ ,  アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  保護膜 ,  蒸着 ,  熱処理
準シソーラス用語： *可撓性 ,  *水素化アモルファスシリコン ,  熱アニーリング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  非晶質半導体の構造  (BK04030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 後処理 ,  プロセス ,  可撓性 ,  Si ,  薄膜トランジスタ ,  特性改善