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J-GLOBAL ID：201102295947588702   整理番号：11A0190985

アニーリングによる金属/絶縁体/n-GaNコンデンサのフラットバンド電圧シフトの研究

Study of the flat band voltage shift of metal/insulator/n-GaN capacitors by annealing

著者 (8件)： KIKAWA Junjiroh (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KANEKO Masamitsu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  OTAKE Hirotaka (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  FUJISHIMA Tatsuya (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  CHIKAMATSU Kentaro (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  YAMAGUCHI Atsushi (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Yasushi (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 247  号： 7  ページ： 1649-1652  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： アニーリング ,  絶縁体 ,  GaN ,  コンデンサ ,  フラットバンド電圧 ,  シフト ,  研究