文献

J-GLOBAL ID：201102297116236489   整理番号：11A0424443

CMOSロジックの将来を切り拓く磁気技術 MTJ素子に基づく不揮発性ロジックインメモリVLSIアーキテクチャの展望

Prospects for MTJ-Device-Based Nonvolatile Logic-in-Memory VLSI Architecture

著者 (2件)： 羽生貴弘 (東北大 電通研) ,  羽生貴弘 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 6  号： 1  ページ： 23-28  発行年： 2011年02月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 専用ロジックを不揮発性ロジックインメモリ構造で実現した回路構成例として,不揮発性加算器とFPGA用不揮発LUT(Look-Up Table)回路と不揮発性TCAM(Ternary Content-Addressable Memory)回路を示した。用いる強磁性トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子が現状では書込みエネルギーが大きいため,データ書込み1回に対してデータ読出しを多数回実行する演算回路に限った。微細化技術の進展で書込みエネルギーが減少すれば応用分野が広がるものと期待される。

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  *不揮発性メモリ ,  *超LSI ,  計算機アーキテクチャ ,  論理回路
準シソーラス用語： 演算回路 ,  *強磁性トンネル接合

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (13件)：

• http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/Home2009.htm
• ROY, K. Proc. IEEE. 2003, 91, 305
• KAUTZ, W. H. IEEE Trans. Computers, C. 1969, 18, 719
• IKEDA, S. IEEE Trans. Electron Devices. 2007, 54, 991
• MATSUNAGA, S. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 091301-1

タイトルに関連する用語 (9件)： CMOS ,  ロジック ,  将来 ,  磁気 ,  MTJ素子 ,  不揮発性 ,  ロジックインメモリ ,  VLSIアーキテクチャ ,  展望