文献

J-GLOBAL ID：201102298897894610   整理番号：11A0430363

超低エネルギーイオン注入後のシリコン表面のXPS観察

XPS study of silicon surface after ultra-low-energy ion implantation

著者 (2件)： YAMAMOTO K ,  ITOH H
資料名： SURFACE SCIENCE
巻： 600  号： 18  ページ： 3753-3756  発行年： 2006年 
JST資料番号： O6289A  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低エネルギーイオン ,  注入 ,  シリコン ,  XPS ,  観察