特許

J-GLOBAL ID：201103000108279382

接着剤層付き半導体チップの製造方法

発明者： 竹田 幸平 ,  石澤 英亮 ,  金 千鶴 ,  畠井 宗宏 ,  岡山 久敏
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-020477
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159815
出願日： 2010年02月01日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】ダイシング時に半導体チップの端部で生じる接着剤層の浮き、欠け、及び、ピックアップ時に生じる接着剤層の汚染を抑制して、半導体装置の高信頼性を実現することのできる接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】フリップチップ実装に用いるための接着剤層付き半導体チップの製造方法であって、ウエハ上のバンプが埋もれるように接着剤層を形成する工程と、前記バンプの表面と前記接着剤層の表面とが連続して平坦となるように、バイトを用いた切削加工により前記バンプ及び前記接着剤層を表面平坦化する工程と、表面平坦化された前記バンプ及び前記接着剤層の上に易剥離樹脂層を形成する工程と、前記易剥離樹脂層を有する前記ウエハをダイシングして、前記易剥離樹脂層を有する半導体チップを得る工程と、前記易剥離樹脂層を有する半導体チップをピックアップする工程と、前記易剥離樹脂層を有する半導体チップから前記易剥離樹脂層を剥離する工程とを有する接着剤層付き半導体チップの製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

フリップチップ実装に用いるための接着剤層付き半導体チップの製造方法であって、 ウエハ上のバンプが埋もれるように接着剤層を形成する工程と、 前記バンプの表面と前記接着剤層の表面とが連続して平坦となるように、バイトを用いた切削加工により前記バンプ及び前記接着剤層を表面平坦化する工程と、 表面平坦化された前記バンプ及び前記接着剤層の上に易剥離樹脂層を形成する工程と、 前記易剥離樹脂層を有する前記ウエハをダイシングして、前記易剥離樹脂層を有する半導体チップを得る工程と、 前記易剥離樹脂層を有する半導体チップをピックアップする工程と、 前記易剥離樹脂層を有する半導体チップから前記易剥離樹脂層を剥離する工程とを有する ことを特徴とする接着剤層付き半導体チップの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 M ,  H01L21/78 P ,  H01L21/78 Q