透明電極付き基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-253333
公開番号（公開出願番号）：特開2011-098464
出願日： 2009年11月04日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】これまでの基板上に形成された透明電極付き基板では、表面粗さは基板に依存しており、基板上に形成される下地層や透明電極では表面粗さを制御できなかった。この為、透明電極付き基板のミクロンオーダー以下の凹凸の制御ができず、光学設計にも限界があった。【解決手段】下地層の一部または全部が粒子状の酸化ケイ素からなる層を用いることで、ナノレベルの凹凸の制御ができ、酸化ケイ素の屈折率とナノレベルの凹凸形状により光学特性を大きく向上することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、一部または全部が粒子状の酸化ケイ素を主成分とする下地層、酸化インジウムまたは酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を含む透明電極層がこの順に形成された透明電極付き基板であって、当該透明電極付き基板の透明電極層表面の算術平均粗さ(Ra)が4nm以上100nm以下であり、さらに上記下地層の屈折率が1.34〜1.50の範囲であることを特徴とする透明電極付き基板。

IPC (4件)：

B32B 9/00 , H01B 5/14 , G06F 3/041 , H01L 31/04

FI (5件)：

B32B9/00 A , H01B5/14 A , G06F3/041 350C , H01L31/04 H , H01L31/04 M

Fターム (40件)：

4F100AA20B , 4F100AA25C , 4F100AA37D , 4F100AK02 , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100BA10D , 4F100DD07C , 4F100GB41 , 4F100JG01C , 4F100JG01D , 4F100JN01C , 4F100JN01D , 4F100JN18C , 4F100YY00B , 4F100YY00C , 4K029AA11 , 4K029AA25 , 4K029BA34 , 4K029BA45 , 4K029BA46 , 4K029BA49 , 4K029BB02 , 4K029BC08 , 4K029BC09 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DC39 , 5B068AA22 , 5B068BB04 , 5F051GA14 , 5F151GA14 , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FC08 , 5G307FC09

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