特許

J-GLOBAL ID：201103000216469260

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 石井 信雄 ,  八坂 保能 ,  安藤 真 ,  後藤 尚久
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  八坂 保能 ,  安藤 真 ,  後藤 尚久
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-181745
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060557
特許番号：特許第4187386号
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】高周波電源部から平面状のアンテナ及び高周波透過窓を通じて真空室内にプラズマ生成用の高周波を供給し、真空室内に供給された処理ガスを前記高周波のエネルギ-によってプラズマ化し、そのプラズマにより、真空室内の載置台に載置された基板に対して処理を行うプラズマ処理装置において、 前記アンテナを真空室に対して相対的に昇降させるための昇降機構と、 前記アンテナと高周波透過窓との間の領域を囲むように設けられた電磁波シ-ルド部材と、 前記高周波透過窓とプラズマの発光領域との間に形成される前記高周波のカットオフ密度となる高さレベルを推定する推定部と、 この推定部の推定結果に基づいて、アンテナと真空室内における前記プラズマ生成用の高周波のカットオフ密度となる高さレベルとの間の領域である前記高周波の空洞領域が適切な大きさとなるように昇降機構を介してアンテナの高さレベルを制御するための制御部と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/511 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-141494
  
• 特許第2697274号
  
• 特公平6-080188
  
• 特公平6-022217