特許

J-GLOBAL ID：201103000232005819

層間絶縁膜の形成方法

発明者： 児玉 典昭
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-075534
公開番号（公開出願番号）：特開平2-253643
特許番号：特許第2822430号
出願日： 1989年03月28日
公開日（公表日）： 1990年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に所要パターンに形成した配線の全面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面層に不純物を導入する工程と、前記絶縁膜を覆ってシリコン化合物を主成分とする溶液を塗布し硬化した塗布絶縁膜を形成する工程と、前記塗布絶縁膜の前記配線の上側の領域が除去されるように前記塗布絶縁膜及び前記絶縁膜をエッチングする工程とを含み、前記絶縁膜の前記表面層のエッチング速度が、前記塗布絶縁膜のエッチング速度と同程度であることを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-040345
  
• 特開昭63-260050