特許

J-GLOBAL ID：201103000246732497

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 豊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-325332
公開番号（公開出願番号）：特開平3-185852
出願日： 1989年12月15日
公開日（公表日）： 1991年08月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】素子が形成されていないウェハの下面側を、第一の基体表面の紫外線硬化性接着剤に貼付ける工程と、該接着剤を紫外線により硬化した後、前記接着剤から前記ウェハを剥離し、前記ウェハの下面側に付着した汚染物質を前記接着剤に付着させて除去する工程と、第二の基体に塗布された紫外線硬化性接着剤に前記ウェハの下面側を貼付ける工程と、前記第2の基体上の前記ウェハを複数のチップに分割する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 341 Z

FI (2件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 Q