特許

J-GLOBAL ID：201103000394707876

化合物半導体の電極製造方法

発明者： 片山 浩二 ,  三枝 明彦 ,  松原 秀樹
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317948
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124486
特許番号：特許第3487282号
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 化合物半導体へのオーミック電極の製造方法であって、前記化合物半導体をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、前記エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜を形成する工程と、前記化合物半導体の表面に形成された前記保護膜を除去して、表面を露出させる工程と、前記露出した表面に電極を形成する工程とを備え、前記エッチング液が、二クロム酸カリウム溶液である、化合物半導体の電極製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 33/00 D ,  H01L 21/306 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ショットキーダイオードの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-198709   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 特開昭59-018200