特許

J-GLOBAL ID：201103000508348170

半導体装置の製造方法

発明者： 宇佐美 達矢 ,  青木 秀充
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070436
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269331
特許番号：特許第3254678号
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 エッチングデポ物を除去する工程を備えた半導体装置の製造方法において、絶縁層間膜に微細な孔および溝をエッチングにより形成する工程と、そのエッチング時に副次的に発生するデポ物と付着性のある微粒子を孔または溝に埋設する工程と、その後、エアロゾルクリーニングで前記微粒子を前記孔または溝より除去する工程と、を含むことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/90 A