特許
J-GLOBAL ID：201103000517201000
第1段蒸気流出物からの非接触的不純物除去を伴う多段アップフロー水素処理
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河備 健二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-578403
特許番号：特許第4443052号
出願日： 1999年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単一の反応器内に少なくとも2つの並流アップフロー水素処理反応段と1つの接触段とを含み、少なくとも一部が液体である炭化水素質原料から1種以上の不純物を除去するための多段水素処理方法において、
(a)前記原料を、第1の並流アップフロー水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、前記原料よりも低い不純物含有量の第1段流出物(該流出物は、第1段で水素処理された炭化水素質液体及び水素処理された炭化水素質原料成分を含有する蒸気からなり、前記液体及び蒸気流出物はこれら流出物間で平衡な状態で前記不純物を含有する。)を形成するのに有効な反応条件で水素と反応させる工程と、
(b)前記第1段の液体及び蒸気流出物を分離する工程と、
(c)前記蒸気流出物を、接触段において、炭化水素質接触液体と、前記蒸気中の不純物が炭化水素質接触液体に移行するような条件下で接触させ、不純物含有量が増加した前記炭化水素質接触液体及び前記第1段蒸気流出物より低い不純物含有量の水素処理された炭化水素質原料成分を含む蒸気からなる接触段流出物を形成する工程と、
(d)前記第1段及び接触段液体流出物を組合せ、それらを第2の並流アップフロー水素処理反応段に供給する工程と、
(e)前記組合された液体流出物を、前記第2の水素処理反応段において、水素処理触媒の存在下に、前記原料より低い不純物含有量を有する第2段流出物(該第2段流出物は、水素処理された炭化水素質液体、及び水素処理された炭化水素質原料成分と未反応水素とを含む蒸気からなる。)を形成するのに有効な反応条件で水素と反応させる工程と、
(f)前記第2段蒸気及び液体流出物を分離する工程と、
(g)前記第2段蒸気流出物を前記第1の反応段に供給する工程と、
を含む多段水素処理方法。
IPC (2件)：
C10G 65/02 ( 200 6.01)
, C10G 45/02 ( 200 6.01)
