象嵌技法を利用した微細金属パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195867
特許番号：特許第3932345号
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】象嵌技法を利用した微細パターン形成方法において、接着膜(glue layer)及び拡散防止膜を順に形成するステップと、上記拡散防止膜上に第1絶縁膜を形成し、上記第1絶縁膜を選択的に蝕刻して微細パターン領域を定義する開口部を形成するステップと、上記開口部内の側壁に絶縁膜スペーサを形成するステップと、金属膜の高さが上記開口部の高さより低くなるように、上記微細パターン領域に金属膜を形成するステップと、上記金属膜上のみに蝕刻停止膜を形成するステップと、上記絶縁膜パターンを除去して上記拡散防止膜を露出させるステップと、上記蝕刻停止膜を蝕刻マスクとして上記拡散防止膜及び上記接着膜を選択的に蝕刻するステップと、を含むことを特徴とする象嵌技法を利用した微細金属パターン形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/3205 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/88 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-162728
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-265695 出願人：日本電気株式会社
特開平1-208842

審査官引用 (3件)

特開平2-162728
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-265695 出願人：日本電気株式会社
特開平1-208842

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