特許
J-GLOBAL ID：201103000743336180
半導体レーザ装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-024452
公開番号（公開出願番号）：特開平2-203585
特許番号：特許第2686306号
出願日： 1989年02月01日
公開日（公表日）： 1990年08月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】n型基板上に順次形成されたn型第1クラッド層及びn型もしくはp型もしくは真性の多重量子井戸層からなる活性層と、該活性層上に設けられた、レーザ共振器端面近傍での幅が内部での幅より狭い共振器長方向のストライプ状の凸部を有するp型第2クラッド層と、該第2クラッド層のストライプ状の凸部上面以外の領域上に設けられた第2クラッド層より高濃度にドーピングされたp型バッファ層と、該バッファ層上に設けられたn型電流阻止層と、上記第2クラッド層のストライプ状凸部上面及び電流阻止層上に設けられたp型コンタクト層とを備え、かつ上記活性層の上記ストライプ状凸部の幅の広い部分の直下の領域を除く領域の多重量子井戸層は上記p型バッファ層からのp型ドーパントの拡散により無秩序化されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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