特許

J-GLOBAL ID：201103000891186294

半導体製造装置

発明者： 竹本 久訓 ,  小泉 元
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 久木元 彰 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-231755
公開番号（公開出願番号）：特開平3-097868
特許番号：特許第2847166号
出願日： 1989年09月08日
公開日（公表日）： 1991年04月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化学気相成長用の反応室(11)からバルブ(15)、トラップ(16)、バルブ(22)、配管(27)を経由して反応ガスを排気する系統をもつ装置において、反応ガスの流れの上流側と下流側に反応ガスの生成物(29)を溶解する液体(30)の導入部(18、23)と導出部(21、26)をそれぞれ設け、反応ガスの流れの下流側と上流側に泡発生ガスの導入部(20、25)と導出部(19、24)をそれぞれ設け、トラップ(16)内に該液体(30)を導入し、泡発生ガスにて当該液体内に泡を発生し、それによってトラップ(16)内に詰まった該生成物(29)を除去する構成としたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/318 Z