特許

J-GLOBAL ID：201103000905845962

サイリスタ及びこれを使用したランプ点灯装置

発明者： 清村 明生 ,  奥野 浩
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355655
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177088
特許番号：特許第3301482号
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基体と第1及び第2の主電極とゲート電極とを有し、前記半導体基体は第1導電型の第1の半導体領域と第1導電型と反対の第2導電型の第2の半導体領域と、第1導電型の第3の半導体領域と、第2導電型の第4の半導体領域とを有し、前記第1の半導体領域は前記半導体基体の一方の主面に露出するように配置され、前記第2の半導体領域は前記第1の半導体領域に隣接し且つ前記半導体基体の他方の主面に露出するように配置され、前記第3の半導体領域は前記第2の半導体領域の中に島状に形成され且つその一部が前記半導体基体の他方の主面に露出するように配置され、前記第4の半導体領域は前記第3の半導体領域の中に島状に形成され且つその一部が前記半導体基体の他方の主面に露出するように配置され、前記第1の主電極は前記半導体基体の一方の主面に配置され且つ前記第1の半導体領域に接続され、前記ゲート電極は前記半導体基体の他方の主面に配置され且つ前記第3の半導体領域の一部に接続され、前記第2の主電極は前記半導体基体の他方の主面に配置され且つ前記第4の半導体領域の一部と前記第3の半導体領域の一部とに接続され、前記第3の半導体領域の前記第2の主電極への接続部分は前記第4の半導体領域を基準にして前記ゲート電極とは反対側に配置され、前記ゲート電極の中心から前記第2の主電極が前記第3の半導体領域に接続されている部分までの最短距離(L2 )が前記ゲート電極の中心から前記第4の半導体領域までの最短距離(L1 )の1.2〜3.0倍に設定されていることを特徴とするサイリスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/74 ,  H05B 41/18 350

FI (4件)：

H05B 41/18 350 B ,  H01L 29/74 J ,  H01L 29/74 W ,  H01L 29/74 D