特許
J-GLOBAL ID：201103001234634879
パターン形成方法および脱水装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068482
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204774
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】EUV露光における光学系の損傷を防止して反射率の低下を防止することが可能なパターン形成方法、半導体装置の製造方法、脱水装置および露光装置を提供すること。【解決手段】被脱水膜が形成された基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗膜形成工程と、前記レジスト塗膜を加熱して前記レジスト膜の溶剤を乾燥するPAB工程と、前記乾燥後のレジスト膜に対して減圧雰囲気下でEUV露光するEUV露光工程と、前記EUV露光後の前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、を含み、前記PAB工程と前記EUV露光工程との間に、前記被脱水膜を加熱することにより前記脱水膜に対して脱水を行う脱水工程を有し、前記脱水工程から前記EUV露光工程までの間において前記基板を乾燥雰囲気下に保持する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被脱水膜が形成された基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗膜形成工程と、
前記レジスト塗膜を加熱して前記レジスト膜の溶剤を乾燥するPAB工程と、
前記乾燥後のレジスト膜に対して減圧雰囲気下でEUV露光するEUV露光工程と、
前記EUV露光後の前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、
を含み、
前記PAB工程と前記EUV露光工程との間に、前記被脱水膜を加熱することにより前記脱水膜に対して脱水を行う脱水工程を有し、
前記脱水工程から前記EUV露光工程までの間において前記基板を乾燥雰囲気下に保持すること、
を特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 565
, H01L21/30 531Z
, G03F7/20 521
5F046GA07
, 5F046JA27
, 5F046KA02
, 5F046KA10
, 5F146GA07
, 5F146JA27
, 5F146KA02
, 5F146KA10
