特許
J-GLOBAL ID:201103001248017180
透明導電基材の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-276192
公開番号(公開出願番号):特開2011-119142
出願日: 2009年12月04日
公開日(公表日): 2011年06月16日
要約:
【課題】高い導電性と良好な透明性を併せ持ち、かつ、膜の場所による導電性のばらつきを低減した透明導電基材の製造方法を提供する。【解決手段】基材上に、少なくとも、金属ナノワイヤと、水溶性ポリマーと、水系溶媒とを含んでなる塗布液を塗布し、次いで乾燥することで形成した導電層を有する透明導電基材の製造方法において、該導電層の塗布液を塗布した塗膜の膜面温度を27°C以上42°C以下、乾燥速度(h×ΔT)を1000〜10000(kcal/(m2・hr))で乾燥させることを特徴とする透明導電基材の製造方法。 但し、hは、伝熱係数(kcal/(m2・°C・hr))を表し、ΔT(°C)は、送風温度と塗膜の膜面温度との差を表す。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基材上に、少なくとも、金属ナノワイヤと、水溶性ポリマーと、水系溶媒とを含んでなる塗布液を塗布し、次いで乾燥することで形成した導電層を有する透明導電基材の製造方法において、該導電層の塗布液を塗布した塗膜の膜面温度を27°C以上42°C以下、乾燥速度(h×ΔT)を1000〜10000(kcal/(m2・hr))で乾燥させることを特徴とする透明導電基材の製造方法。
但し、hは、伝熱係数(kcal/(m2・°C・hr))を表し、ΔT(°C)は、送風温度と塗膜の膜面温度との差を表す。
IPC (3件):
H01B 13/00
, B32B 7/02
, B32B 27/18
FI (4件):
H01B13/00 503B
, H01B13/00 503C
, B32B7/02 104
, B32B27/18 J
Fターム (16件):
4F100AB01B
, 4F100AB24
, 4F100AK01B
, 4F100AK42
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100EH462
, 4F100EJ55
, 4F100EJ863
, 4F100GB41
, 4F100JB09B
, 4F100JG01B
, 4F100JN01
, 5G323BA01
, 5G323BB01
, 5G323BC03
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