特許
J-GLOBAL ID:201103001361737164
レジスト組成物及びパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-239642
公開番号(公開出願番号):特開2011-085812
出願日: 2009年10月16日
公開日(公表日): 2011年04月28日
要約:
【課題】高い解像度、良好なパターン倒れ耐性、良好なマスクエラーファクター(MEF)を示すレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される化合物に由来する繰り返し単位及び式(II)で表される化合物に由来する繰り返し単位を有する樹脂を含むレジスト組成物。[式中、R1及びR3は、H、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいアルキル基;Tは、脂環式炭化水素基、該基は、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基等で置換されていてもよく、該基に含まれる-CH2-は、少なくとも1つの-SO2-で置き換わっており、さらに、-CO-、-O-、-S-、-SO2-又は-N(R2)-で置き換わっていてもよい;R2はH又はアルキル基;Xは、-CH2-、-O-又は-S-を表す。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(I)で表される化合物に由来する繰り返し単位及び式(II)で表される化合物に由来する繰り返し単位を有する樹脂を含むレジスト組成物。
IPC (6件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, C08F 20/26
, C08F 20/10
, C08F 20/38
, H01L 21/027
FI (6件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, C08F20/26
, C08F20/10
, C08F20/38
, H01L21/30 502R
Fターム (46件):
2H125AF17P
, 2H125AF33P
, 2H125AF38P
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ59X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN45P
, 2H125AN54P
, 2H125AN63P
, 2H125AN65P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100BA02Q
, 4J100BA02R
, 4J100BA02T
, 4J100BA03T
, 4J100BA11R
, 4J100BA11T
, 4J100BA15R
, 4J100BA58Q
, 4J100BC04S
, 4J100BC08Q
, 4J100BC08R
, 4J100BC09P
, 4J100BC09T
, 4J100CA03
, 4J100DA01
, 4J100FA03
, 4J100FA19
, 4J100JA38
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