半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中前富士男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043295
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237258
特許番号：特許第3522177号
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】素子搭載部と、該素子搭載部と離間して放射状に配列された導体リードとを有する導体回路パターンが、外枠部の内側に所定ピッチでプレス加工又はエッチング加工により形成された2条のリードフレームを準備する第1の工程と、前記リードフレームのそれぞれを耐熱性及び熱可塑性を有する粘着剤を介して基材に積層して3層構造のリードフレームの積層体を形成する第2の工程と、前記リードフレームの積層体の前記素子搭載部に、複数の電極パッドを設けた半導体チップをそれぞれ搭載する第3の工程と、前記半導体チップの前記電極パッドと、これに対応する前記導体リードとを電気的接続を行って電気的導通回路を形成する第4の工程と、少なくとも一つの前記半導体チップと前記導体回路パターンのそれぞれを含む電気的接続部分の樹脂封止を行って半導体パッケージの連結体を両面に形成する第5の工程と、前記粘着剤を加熱して、前記両面の半導体パッケージの連結体の分離を行う第6の工程と、分離された前記それぞれの半導体パッケージの連結体をプレス加工又はダイシング加工により、個々の半導体パッケージに分離し、封止樹脂の裏面側に前記導体回路パターン面が露出した所要の形状の半導体装置を形成する第7の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 , H01L 23/12 , H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 21/56 T , H01L 23/50 W , H01L 23/12 L

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