特許
J-GLOBAL ID：201103001370096813
電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路及び電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-060101
公開番号（公開出願番号）：特開2011-193705
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【課題】高速なスイッチング動作が可能となりスイッチング損失の低減と誤点弧を防止することができるゲート駆動回路および電力変換装置を提供すること。【解決手段】本発明のゲート駆動回路および電力変換装置は2つのトランジスタで構成されるプッシュプル回路を出力段に備えるゲート駆動回路と、プッシュプル回路(10)と直列に接続されるダイオード(5)を備え、プッシュプル回路とダイオードの直列回路と並列にゲート電源(1)が接続され、プッシュプル回路と並列に負電圧発生回路(6)を備え、負電圧発生回路の出力端子とゲート電源の負極端子間にトランジスタ(4)を接続し、プッシュプル回路とトランジスタのベース端子でプッシュプル回路の出力電圧を正負に出力することを特徴としたゲート駆動回路であり、このゲート駆動回路を使うことで達成できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電力変換装置の電圧駆動型半導体素子、または、該電圧駆動型半導体素子を駆動するゲート駆動回路であって、
ゲート電源と、
NPNトランジスタと第1のPNPトランジスタの直列回路で構成されたプッシュプル回路と、
前記ゲート電源の正負極間に接続された、前記プッシュプル回路とダイオードの直列回路と、
前記プッシュプル回路に並列に接続された負電圧発生回路と、
該負電圧発生回路の出力端子と前記ゲート電源の負極端子間に接続された、第2のPNPトランジスタと、
前記負電圧発生回路のE端子と前記ゲート電源の負極端子間に接続された、ダイオードを備え、
前記NPNトランジスタと第1のPNPトランジスタの接続点からゲート抵抗を介し、前記電圧駆動型半導体素子のゲート端子に接続し、前記ゲート電源の負極端子と前記電圧駆動型半導体素子のエミッタ端子が接続されたことを特徴とするゲート駆動回路。
IPC (4件)：
H02M 1/08
, H05B 6/04
, H02M 3/155
, H02M 7/48
H02M1/08 A
, H05B6/04 321
, H02M3/155 H
, H02M7/48 A
3K059AA02
, 3K059AC24
, 3K059AD25
, 5H007AA06
, 5H007BB04
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CA02
, 5H007CB05
, 5H007CB09
, 5H007CC12
, 5H007CC23
, 5H730AA14
, 5H730AS04
, 5H730AS05
, 5H730BB13
, 5H730BB14
, 5H730BB57
, 5H730CC01
, 5H730DD03
, 5H730DD04
, 5H740AA04
, 5H740AA05
, 5H740BA11
, 5H740BA12
, 5H740BB02
, 5H740BB07
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH07
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740NN11
