特許
J-GLOBAL ID:201103001438177841

半導体記憶装置およびその動作方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守
公報種別:特許公告
出願番号(国際出願番号):特願平1-114529
公開番号(公開出願番号):特開平2-292794
出願日: 1989年05月08日
公開日(公表日): 1990年12月04日
請求項(抜粋):
【請求項1】外部から与えられる制御信号に応答して、テストモードに設定することを意味するテストモード設定信号およびテストモードを解除することを意味するテストモード解除信号を出力する制御手段、外部から与えられる制御信号に応答して、テストモードの解除を禁止することを意味するテストモード解除禁止信号を出力する解除禁止手段、前記制御手段からのテストモード設定信号およびテストモード解除信号と前記解除禁止手段からのテストモード解除禁止信号を受け、前記テストモード設定信号に基づいてテストモードに設定し、前記テストモード解除信号に基づいてテストモードを解除し、前記テストモード解除禁止信号がテストモードの解除を禁止することを意味していると前記テストモード解除信号がテストモードを解除することを意味してもテストモードを保持し続けるためのテストモード保持手段を備えた半導体記憶装置。
IPC (1件):
G11C 11/401
FI (1件):
G11C 11/34 371 A

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