特許
J-GLOBAL ID：201103001442172650
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
田中 光雄
, 鮫島 睦
, 前堀 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-244349
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091410
出願日： 2010年10月29日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
【課題】 基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減する。【解決手段】 トレイ15の厚み方向に貫通する基板収容孔19A〜19Dに基板2が収容される。チャンバ3内の誘電体板23は、トレイ15の下面15cを支持するとトレイ支持面28と、上向きに突出する基板載置部29A〜29Dを備え、静電吸着用電極40を内蔵している。基板収容孔19A〜19Dに収容された基板2を支持する基板支持部21は、基板収容孔19A〜19Dの周方向に間隔を隔てて形成された複数の突起76A〜76Cを備える。突起76A〜76Cにより基板2が点接触的な態様で支持される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
減圧可能なチャンバと、
前記チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生源と、
基板が収容される基板収容孔が厚み方向に貫通するように形成されたトレイと、
前記基板収容孔の孔壁の前記トレイの下面側から突出する環状部と、前記孔壁及び前記環状部の上面のうちの少なくとも一方に形成され、前記基板収容孔に収容された前記基板の下面側の外周縁部の周方向に互いに間隔を隔てた3箇所以上の複数箇所を接触して支持する複数の基板接触部と備える基板支持部と、
前記チャンバ内に設けられ、前記チャンバ内に搬入される前記基板を収容した前記トレイの下面を支持するトレイ支持面と、このトレイ支持面から上向きに突出し、前記トレイの下面側から前記基板収容孔に挿入され、かつその上端面である基板載置面に前記基板の下面が載置される基板載置部とを備える、誘電体部材と、
前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された、前記基板を前記基板載置面に静電吸着するための静電吸着用電極と、
前記静電吸着用電極に直流電圧を印加する直流電圧印加機構と、
前記基板と前記基板載置面との間の空間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構と
を備えることを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101G
, H01L21/31 C
5F004AA01
, 5F004BB19
, 5F004BB22
, 5F004BB25
, 5F045AA08
, 5F045BB02
, 5F045DP15
, 5F045EJ02
, 5F045EJ10
, 5F045EM05
, 5F045EM06
, 5F045EM07
