半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本眞吉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044397
特許番号：特許第3647323号
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基本セルが互いに直角な第1方向及び第2方向に配列された半導体集積回路において、該基本セルは、Nウエル内に複数のP形領域が該第2方向に配列され、該Nウエルと該第1方向に隣接するPウエル内に複数のN形領域が該第2方向に配列され、該複数のP形領域の間の上方を通りさらに該複数のN形領域の間の上方を通る複数のゲートラインが該第1方向に形成され、該複数のゲートラインの1つの一端側の該Nウエル内及び他端側の該Pウエル内にそれぞれNウエルコンタクト領域及びPウエルコンタクト領域が形成され且つ該一端及び該他端にゲートコンタクト領域が形成されておらず、該複数のゲートラインの他の1つの一端及び他端にそれぞれゲートコンタクト領域が形成され、第1配線層にセル内配線が形成され、該第1配線層の上方の第2配線層に、該Nウエルコンタクト領域と接続される電源配線及び該Pウエルコンタクト領域と接続される電源配線が該第2方向に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/118 , H01L 21/82 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 21/82 M , H01L 21/82 B , H01L 27/08 321 J

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭62-159447
特開昭62-263653

審査官引用 (4件)

特開昭62-159447
特開昭62-263653
特開昭62-159447

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