特許
J-GLOBAL ID：201103001770711924
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-075278
公開番号（公開出願番号）：特開平2-252242
特許番号：特許第2743452号
出願日： 1989年03月25日
公開日（公表日）： 1990年10月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基体の一方の主面にウェル領域形成のための不純物を導入し、その半導体基体の他方の主面にリンを導入し、その半導体基体の一方の主面上に熱酸化膜を形成し、その熱酸化膜上に電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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