結晶性シリコン膜の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230625
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110694
特許番号：特許第3986771号
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1のチャンバーにおいて、基板上に炭素、窒素および酸素の濃度がいずれも5×1019cm-3以下のアモルファスシリコン膜をシリコンをターゲットとして用いたスパッタ法で形成し、前記基板を第1のチャンバーから前記第1のチャンバーに連結した第2のチャンバーに移動し、前記第2のチャンバーにおいて、前記アモルファスシリコン膜上に窒化シリコン膜を形成し、前記基板を第2のチャンバーから前記第2のチャンバーに連結した予備室に移動し、前記予備室において、前記窒化シリコン膜を介してパルス発振のレーザ光を照射して前記アモルファスシリコン膜を結晶化することにより、ラマンシフトのピーク値が515cm-1以上の波数である結晶性シリコン膜を形成し、前記結晶性シリコン膜が形成された基板を第3のチャンバー内に移動し、前記第3のチャンバーを真空排気した後に、前記結晶性シリコン膜を水素雰囲気中でアニール処理する結晶性シリコン膜の作製方法であって、前記アモルファスシリコン膜の形成、前記窒化シリコン膜の形成、および前記パルス発振のレーザ光の照射を大気に曝すことなく連続的に行うことを特徴とする結晶性シリコン膜の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/203 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 618 G , H01L 21/203 S

引用特許：

出願人引用 (17件)

特開平1-212431
特開平2-239615
特開平1-241862

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審査官引用 (38件)

特開平1-212431
特開平2-239615
特開平1-241862

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引用文献：

出願人引用 (2件)

CVD高速化5倍の高速成膜は可能入力パワーを有効活用
集積回路プロセス技術シリーズSOI構造形成技術, 19871023, 第36-37頁

審査官引用 (2件)

CVD高速化5倍の高速成膜は可能入力パワーを有効活用
集積回路プロセス技術シリーズSOI構造形成技術, 19871023, 第36-37頁

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