特許

J-GLOBAL ID：201103001804473670

半導体装置

発明者： 吉田 博 ,  大本 洋平
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-009882
公開番号（公開出願番号）：特開2011-150833
出願日： 2010年01月20日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：

【課題】高い電気伝導度をもち金型からの応力を緩和することのできるソケット構造をもつ、半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置100は、電極差込用のソケットを備える。ソケットは、金属材で形成された内側ソケット4と、内周面が内側ソケット4の外周面と接するように内側ソケット4と嵌合する金属材で形成された外側ソケット5と、を備え、内側ソケット4は外側ソケット5より電気伝導度が高く、外側ソケット5は内側ソケット4より硬度が低く、嵌合時に頭部高さが高いことを特徴とする半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電極差込用のソケットを備えた半導体装置であって、 前記ソケットは、金属材で形成された内側ソケットと、 内周面が前記内側ソケットの外周面と接するように前記内側ソケットと嵌合する金属材で形成された外側ソケットと、を備え、 前記外側ソケットは前記内側ソケットより嵌合時に頭部高さが高いことを特徴とする、半導体装置。

IPC (4件)：

H01R 4/60 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/56

FI (3件)：

H01R4/60 ,  H01L25/04 C ,  H01L21/56 T

Fターム (5件)：

5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DA01 ,  5F061EA01