特許
J-GLOBAL ID：201103001824256772
微細配線用銅箔の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂高 哲夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279234
公開番号（公開出願番号）：特開2002-161394
特許番号：特許第3429290号
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 銅箔を陰極として、銅箔の被接着面に、(1)銅イオン、(2)タングステン及びモリブデンから選ばれる1種以上の金属の金属イオン、(3)ニッケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも1種以上の金属の金属イオン及び(4)塩素イオン1〜100mg/lを含有するめっき浴(A)を用いて浴の限界電流密度未満の電流密度で電解処理することにより、(I)銅、(II)タングステン及びモリブデンから選ばれる少なくとも1種以上の金属及び(III)ニッケル、コバルト、鉄及び亜鉛から選ばれる少なくとも1種以上の金属からなる複合金属層を設け、次いでこの複合金属層上に銅イオンを含有するめっき浴(B)を用いて、浴の限界電流密度以上の電流密度で電解処理して、樹枝状銅電着層を形成し、更に浴の限界電流密度未満の電流密度で電解処理してコブ状銅を形成することにより銅からなる粗化層を設けることを特徴とする微細配線用銅箔の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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