特許
J-GLOBAL ID：201103001831670100
反射型マスクブランクス及び反射型マスク、その製造方法、並びに検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
金山 聡
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 藤枡 裕実
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-032995
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171457
出願日： 2010年02月17日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：
【課題】 本発明は、加工の困難なTaBO等からなる低反射層を不要とし、検査光の短波長化にも対応可能で、工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく欠陥修正が可能なEUV露光用の反射型マスクブランクス及び反射型マスク、その製造方法、並びに検査方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】 EUV光を反射する反射部とEUV光を吸収する吸収部との段差を、欠陥検査に使用する検査光の1/4波長の奇数倍の大きさに調整し、検査光を垂直に照射した際の、反射部からの反射光と、吸収部からの反射光の位相差によるエッジ遮光効果を利用して欠陥検査を行うことにより、上記課題を解決する。【選択図】 図11
請求項（抜粋）：
基板の一方の主面上に、EUV光を反射する多層膜からなる反射層と、前記反射層上に前記EUV光を吸収する吸収体層とを少なくとも設けてなるEUV露光用の反射型マスクブランクスであって、
前記反射層と前記吸収体層との間には、
前記吸収体層の加工手段から下層の反射層を保護するためのバッファ層が設けられており、
前記吸収体層の厚さと前記バッファ層の厚さを合わせた大きさが、
反射型マスクの欠陥検査に使用する検査光の1/4波長の奇数倍の大きさに調整されていることを特徴とする反射型マスクブランクス。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 1/16
, G03F 1/08
H01L21/30 531M
, G03F7/20 521
, G03F1/16 A
, G03F1/08 S
2H095BA10
, 2H095BD02
, 2H095BD04
, 2H095BD13
, 5F046GA03
, 5F046GD10
, 5F146GA03
, 5F146GD00
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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