特許
J-GLOBAL ID:201103001951305898

半導体メモリ装置の動作モード選択回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-126668
公開番号(公開出願番号):特開平11-353869
特許番号:特許第4570180号
出願日: 1999年05月07日
公開日(公表日): 1999年12月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 パワーオンの後に生成された各内部信号から、複数の異なる状態のいずれか1つを感知し、対応する状態感知信号をハイレベルとし、他の状態感知信号をローレベルとして出力する各状態感知回路と、 前記内部信号から初期サイクルを感知する初期サイクル感知回路と、 前記初期サイクル感知回路の出力信号に応じて各状態感知信号のレベルをそれぞれラッチするラッチ回路と、を備え、 前記初期サイクル感知後、イネーブルされた状態感知信号に対応した動作モードを選択するようにし、以後の内部信号に関係なく前記初期サイクル感知回路の出力信号は一定に固定されて前記選択された動作モードが変更されないように構成されることを特徴とする半導体メモリ装置の動作モード選択回路。
IPC (2件):
G11C 11/4072 ( 200 6.01) ,  G11C 11/403 ( 200 6.01)
FI (2件):
G11C 11/34 371 E ,  G11C 11/34 363 M
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-258294
  • 特開平4-162820
  • 特開平1-258294
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