特許

J-GLOBAL ID：201103001974183412

半導体装置

発明者： 関谷 洋紀 ,  大部 利春 ,  二宮 豪
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-161651
公開番号（公開出願番号）：特開2011-018736
出願日： 2009年07月08日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：

【課題】放熱性能を向上させつつ、耐久性を高めることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、放熱器2と、放熱器2上に載置され、接続面13aを有する導体13と、放熱器2上に載置され、接続面14aを有する導体14と、導体13の接続面13aと面接触された第1電極面21と、導体14の接続面14aと面接触された電極面22であって、電極面21と対向する位置に形成された電極面22を有する半導体素子16aと、硬化性樹脂を含み、導体13と、導体14と、半導体素子16aとを封止する封止部材19とを備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

放熱手段と、 前記放熱手段上に載置され、第1接続面を有する第1導体と、 前記放熱手段上に載置され、第2接続面を有する第2導体と、 前記第1導体の第1接続面と面接触された第1電極面と、前記第2導体の第2接続面と面接触された第2電極面であって、前記第1電極面と対向する位置に形成された前記第2電極面を有する半導体素子と、 硬化性樹脂を含み、前記第1導体と、前記第2導体と、前記半導体素子とを封止する封止部材とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/34

FI (1件)：

H01L23/34 B

Fターム (11件)：

5F136BA30 ,  5F136BB13 ,  5F136BB18 ,  5F136BC01 ,  5F136BC05 ,  5F136DA01 ,  5F136DA27 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA52 ,  5F136FA53