特許

J-GLOBAL ID：201103002066099926

磁気センサ

発明者： 伊澤 一朗
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-337920
特許番号：特許第3988315号
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の上に磁気抵抗素子を配置するとともに当該基板の後方にバイアス磁石を配置し、バイアス磁石によるバイアス磁界内に磁気抵抗素子を位置させ、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を磁気抵抗素子にて検出するようにした磁気センサにおいて、 前記基板の上の磁気抵抗素子に対しセンシング信号を得るための電極とは別に補正用電極を配置し、この補正用電極を通して磁気抵抗素子に電流を流し、これにより形成される電流成分にて前記センシング信号を得るための電極を通して磁気抵抗素子に流れる電流成分を補正するようにしたことを特徴とする磁気センサ。

IPC (2件)：

G01D 5/245 ( 200 6.01) ,  G01R 33/09 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G01D 5/245 R ,  G01R 33/06 R