特許

J-GLOBAL ID：201103002143351170

チタン化合物を含有するCVDチタン膜の形成方法

発明者： 阿部 一英 ,  原田 裕介
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180039
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373866
特許番号：特許第3626115号
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】コバルトシリサイド層表面あるいはコバルトシリサイド層中にチタンと反応する元素を含有する工程と、四塩化チタンガスを用いたCVD法により前記コバルトシリサイド層上にチタン膜を形成する工程と、前記チタン膜を形成すると同時に前記チタン膜と前記元素とを反応させ、チタン化合物を形成する工程とを有することを特徴とするチタン化合物を含有するCVDチタン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/90 C