半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-096710
公開番号（公開出願番号）：特開平2-273964
出願日： 1989年04月17日
公開日（公表日）： 1990年11月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】IILの逆方向縦型バイポーラトランジスタのエミッタとなる島領域表面に、一導電型のベース領域を形成する工程、前記IILのベース領域表面、および前記ベース領域外側のカラー領域となる前記島領域表面に逆導電型の不純物を拡散してIILの第1のコレクタ領域とカラー領域を形成すると共に、前記第1のコレクタ領域とカラー領域の表面に絶縁膜を形成する工程、前記絶縁膜をパターニングして前記第1のコレクタ領域の表面に不純物拡散用の窓を形成し、一導電型の第2のコレクタ領域を形成する不純物を前記窓を通して導入する工程、前記不純物を拡散することにより、前記第1のコレクタ領域表面にこれより開口部が小さい第2のコレクタ領域を形成する工程、前記不純物を拡散する過程で前記第2のコレクタ領域表面に生成された薄い絶縁膜をエッチ液で洗うことにより半導体表面を露出する工程、前記拡散用の窓をコンタクト孔として前記第2のコレクタ領域とオーミックコンタクトする電極を配設する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/082 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/08 101 W 7210-4M , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-010966
特開昭63-208270

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