特許
J-GLOBAL ID:201103002609100563

液晶表示装置及び電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-276854
公開番号(公開出願番号):特開2011-237760
出願日: 2010年12月13日
公開日(公表日): 2011年11月24日
要約:
【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化することで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を10aA/μm以下且つ85°Cにおけるオフ電流値を100aA/μm以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したように当該トランジスタは、85°Cという高温においてもオフ電流値を100aA/μm以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
走査線駆動回路によってスイッチングが制御されるトランジスタと、 一方の端子に信号線駆動回路から前記トランジスタを介して画像信号が入力され、他方の端子に共通電位が供給されることで、前記画像信号に応じた電圧が印加される液晶素子と、 前記液晶素子に印加される電圧を保持する容量素子と、を有する複数の画素がマトリクス状に配列された液晶表示装置であって、 前記走査線駆動回路及び前記信号線駆動回路の動作を制御し、前記画素への前記画像信号の入力を選択する制御回路を有し、 前記トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成され、 オフ状態の前記トランジスタを介した前記画像信号のリークが、前記液晶素子を介した前記画像信号のリークよりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (5件):
G02F 1/136 ,  G09G 3/36 ,  G09G 3/20 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/133
FI (8件):
G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 611A ,  G09G3/20 660U ,  G09G3/20 612G ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/133 550
Fターム (52件):
2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB67 ,  2H092KA08 ,  2H092NA21 ,  2H092PA06 ,  2H193ZA04 ,  2H193ZA05 ,  2H193ZF12 ,  2H193ZF16 ,  2H193ZH23 ,  2H193ZH38 ,  2H193ZH52 ,  2H193ZP03 ,  5C006AA02 ,  5C006AF02 ,  5C006AF45 ,  5C006AF53 ,  5C006AF68 ,  5C006BB16 ,  5C006BC06 ,  5C006BF14 ,  5C080AA10 ,  5C080BB05 ,  5C080DD01 ,  5C080DD26 ,  5C080FF01 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK01 ,  5C080KK07 ,  5C080KK43 ,  5C080KK47 ,  5C094AA22 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094EA10 ,  5C094FB14 ,  5C094FB19 ,  5C094FB20 ,  5C094HA08 ,  5C094JA01 ,  5C094JA05 ,  5C094JA06

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