特許

J-GLOBAL ID：201103002727302162

光インプリント方法

発明者： 渡部 順 ,  佐藤 康弘 ,  望月 栄二 ,  藤島 正幸 ,  峯岸 大生
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 黒田 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-241951
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091124
出願日： 2009年10月21日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：

【課題】 本発明は、ダミーパターンの残膜厚さを測定することで、有効領域を切断することなくインプリント後の残膜量を把握することができ、残膜厚さを実際に測定した同一基板を次工程であるエッチングに進めることができ、残膜量をエッチング条件にフィードバックさせることが可能であり、確実に安定した加工を実現できる。【解決手段】 本発明の光インプリント方法では、有効領域に形成されたパターンと、有効領域外に形成され、かつ少なくともパターンと同じ深さを有するダミーパターンとを有するモールドを用いる。このモールドにおける少なくともダミーパターンを基板上の光硬化性レジスト上に転写した後、ダミーパターンに対応する深さからレジスト層の残膜厚さを測定する。そして、測定された残膜厚さに基づいてパターンに対応するレジスト層における残膜を除去する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

被加工物の基板上に光硬化性レジストを塗布し、その後所望の凹凸のパターンが形成された光透過性部材から構成されるモールドのパターン形成面を接触させ、前記モールドのパターン形成面の裏面側から光を照射して前記光硬化性レジストを硬化させることによって、前記モールドのパターンを基板上に塗布されたレジスト層に転写する光インプリント方法において、 有効領域に形成された前記パターンと、有効領域外に形成され、かつ少なくとも前記パターンと同じ深さを有するダミーパターンとを有する前記モールドを用いて、少なくとも前記ダミーパターンを基板上の光硬化性レジスト上に転写した後、前記ダミーパターンに対応する深さからレジスト層の残膜厚さを測定し、測定された残膜厚さに基づいて前記パターンに対応するレジスト層における前記残膜を除去することを特徴とする光インプリント方法。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (1件)：

H01L21/30 502D

Fターム (2件)：

5F046AA28 ,  5F146AA28