粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：久野琢也 , 矢野敏雄 , 高橋佳大 , 星公弘 , 二宮浩康 , 篠良一 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-253104
公開番号（公開出願番号）：特開2011-102234
出願日： 2010年11月11日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：

【課題】円錐形の管の管端部のこのような凝固を確実に防止する。【解決手段】この課題は、粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法において、シリコン製の回転プレートの下位に配置された誘導加熱コイルにより、単結晶の円錐形に拡張された区分を結晶化させ、誘導溶融されたシリコンを、前記プレートの中央開口を取り囲んでおり且つ前記プレートの下方に延びる前記プレートの円錐形の管を通して、単結晶の円錐形に拡張された区分上に位置し且つ円錐形の管の管端部に接触している溶融物に供給し、しかも、単結晶の円錐形に拡張された区分が15〜30mmの直径を有して結晶化される限りは、前記管端部の外径が15mmを下回らないように、前記プレートの下位に配置された誘導加熱コイルによって十分なエネルギを供給することによって解決される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法において、シリコン製の回転プレートの下位に配置された誘導加熱コイルにより、単結晶の円錐形に拡張された区分を結晶化させ、誘導溶融されたシリコンを、前記プレートの中央開口を取り囲んでおり且つ前記プレートの下方に延びる前記プレートの円錐形の管を通して、単結晶の円錐形に拡張された区分上に位置し且つ円錐形の管の管端部に接触している溶融物に供給し、しかも、単結晶の円錐形に拡張された区分が15〜30mmの直径を有して結晶化される限りは、前記管端部の外径が15mmを下回らないように、前記プレートの下位に配置された誘導加熱コイルによって十分なエネルギを供給することを特徴とする、粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 , C30B 13/20

FI (2件)：

C30B29/06 501A , C30B13/20

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077AB09 , 4G077BA04 , 4G077CE03 , 4G077CE04 , 4G077EG15 , 4G077EH06 , 4G077HA12 , 4G077ND05 , 4G077NF11

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