特許
J-GLOBAL ID:201103003040891326

半導体基板の処理液及び処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平1-259121
公開番号(公開出願番号):特開平3-120719
特許番号:特許第2776583号
出願日: 1989年10月03日
公開日(公表日): 1991年05月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】シリコン基板処理を行うために、過酸化水素を含む処理液において、薬液として弗酸及び過酸化水素を含み燐酸を含まない薬液を純水に加え、前記過酸化水素の濃度を0.5乃至15重量%、且つ前記弗酸濃度を0.1乃至10重量%とすることを特徴とするシリコン基板の処理液。
IPC (2件):
H01L 21/308 ,  H01L 21/304 341
FI (2件):
H01L 21/308 G ,  H01L 21/304 341 L
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭58-030135
  • 特公昭55-050112
  • 特公昭50-009269
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