特許
J-GLOBAL ID:201103003432117211

過熱保護機能付き半導体装置の制御回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 瀧野 秀雄 ,  越智 浩史 ,  松村 貞男 ,  垣内 勇
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-348500
公開番号(公開出願番号):特開2001-168286
特許番号:特許第3585105号
出願日: 1999年12月08日
公開日(公表日): 2001年06月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】ワンチップ上に、半導体素子と、前記ワンチップの温度上昇を検出する温度検出回路、前記温度検出回路の検出出力が供給されるラッチ回路及び前記ラッチ回路の出力が供給され、前記半導体素子のゲート入力を遮断するゲート遮断回路を含む過熱保護手段とを搭載した過熱保護機能付き半導体装置の制御回路であって、上記半導体素子にPWM制御信号を供給する制御手段と、上記過熱保護機能付き半導体装置の出力状態を検出する出力状態検出手段とを備え、上記制御手段は、前記PWM制御信号の立ち上がり時間tG(ON) プラス所定の時間ts(ただし、ts<tG(OFF)(前記PWM制御信号の立ち下がり時間)-tG(ON) )ごとの監視タイミングで、定期的に前記出力状態検出手段からの検出出力を監視し、上記検出出力の論理1,0と上記PWM制御信号の論理1,0とを比較することにより、上記検出出力の論理が上記PWM制御信号の論理と異なっている状態が所定回数または所定時間の間継続して発生した場合は、上記半導体素子への上記PWM制御信号の供給を停止するように制御することを特徴とする過熱保護機能付き半導体装置の制御回路。
IPC (8件):
H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088 ,  H02H 3/087 ,  H02H 5/04 ,  H02H 7/20 ,  H03K 17/08
FI (6件):
H01L 27/04 H ,  H02H 3/087 ,  H02H 5/04 E ,  H02H 7/20 D ,  H03K 17/08 A ,  H01L 27/08 102 F
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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