特許

J-GLOBAL ID：201103003590340777

誘電体分離基板の製造方法

発明者： 中川 明夫 ,  古川 和由 ,  小倉 常雄 ,  丹沢 勝二郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326742
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199583
特許番号：特許第2971408号
出願日： 1989年12月11日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1のシリコンウェハ上に絶縁膜を介して高抵抗の第2のシリコンウェハを接着する工程と、前記第2のシリコンウェハの表面に高濃度不純物埋込み層を拡散により形成する工程と、前記第2のシリコンウェハ上に低濃度不純物エピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層の表面から前記絶縁膜に達する溝部を設け、前記エピタキシャル層及び第2のシリコンウェハを島状に分離する工程と、前記溝部に絶縁膜を埋込み形成する工程とを含むことを特徴とする誘電体分離基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F