薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-343581
公開番号（公開出願番号）：特開平3-201539
特許番号：特許第2928854号
出願日： 1989年12月28日
公開日（公表日）： 1991年09月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁基板上に半導体層およびコンタクト層を成膜し、前記コンタクト層をプラズマエッチングにより分離して、該分離された部分から露出された前記半導体層および前記コンタクト層の表面をプラズマ酸化して酸化膜を形成し、前記酸化膜を沸酸系エッチャントにより除去し、しかる後、前記半導体層上に絶縁膜を形成すると共に前記各コンタクト層上にソース、ドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 616 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-021868
特開昭61-099347

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